بنابر اعلام وزارت دادگستری برزیل، روز گذشته و در جریان عملیاتی گسترده تلفن همراه ژائیر بولسونارو رئیس جمهور برزیل هک شد. هک شدن تلفن همراه رئیس جمهور برزیل بخشی از عملیات گسترده ایست که سایر مقامات ارشد این کشور را هدف گرفته بود. تاکنون چهار نفر از مظنونان به دست داشتن در این حمله هکی دستگیر شده اند.
بولسانارو در این رابطه به خبرنگاران گفت: آنها وقت خود را با من هدر می دهند. او از این اتفاق تحت عنوان حمله ای سنگین علیه برزیل و موسسات آن یاد کرد که باید با عاملانش برخورد شود و در ادامه اظهار داشت که هیچوقت در مکالمات تلفنی اش در مورد موضوعات امنیتی حساس و ملی حرف نزده است.
این اتفاق بعد از لو رفتن مکالمات تلگرامی سرجیو مورو (شخص منصوب بولسونارو) وزیر دادگستری برزیل با دیگر مقامات این کشور رخ می دهد. براین اساس، مورو که در زمان عملیات ضد فساد موسوم به کارواش شخصیتی مستقل داشت و به همین خاطر محبوبیت زیادی را نزد همه کسب کرده بود در زمان قضاوت خود بر خلاف قوانین جاری برزیل، دادستان ها را برای محکوم کردن رئیس جمهور سابق برزیل به اتهام فساد ترغیب و تشویق می کرد.
بعد از این گفتگو میان مورو و دادستان ها، لوئیس ایناسیو لولا داسیلوا رئیس جمهور سابق برزیل محکوم به فساد و بولسونارو پیروز انتخابات شد و مورو را به سمت وزارت دادگستری برزیل منصوب کرد.
یکی از چهار مظنون دستگیر شده در جریان حمله هکی علیه مقامات برزیل اعلام کرده که چت های افراد را از طریق گوشی های هک شده برای نشریه Intercept می فرستاده است.
گزارش شده که آقای بولسونارو بر خلاف خواست مقامات و سرویس های اطلاعاتی برزیل همچنان به استفاده از گوشی های معمولی اصرار می ورزیده چراکه میتوانسته از شبکه های اجتماعی محبوب خود استفاده نماید.
آقای لولا سال گذشته و زمانی که به اتهام فساد در زندان به سر می برد در نظرسنجی های پیش از انتخابات، جلوتر از بولسونارو بود. وی که بین سال های ۲۰۰۳ تا ۲۰۱۰ رئیس جمهور برزیل بود هم اکنون برای سپری کردن حکم زندان ۱۲ ساله خود در حبس به سر می برد. او همواره بر بی گناهی خود تاکید کرده است.
در جریان عملیات کارواش جزئیات طرحی لو رفت که به موجب آن شرکت های ساخت و ساز در برزیل برای عقد قراردادهای چشمگیر و مشارکت در پروژه های دولتی به سیاستمداران این کشور رشوه پرداخت می کردند. بالغ بر صد شخصیت سیاسی ارشد این کشور و مدیران کسب و کار در جریان این عملیات دستگیر شدند و چندین تن نیز مجرم شناخته شدند. مورو در آن زمان خود را به عنوان یک قهرمان مقابله با فساد مطرح کرد.
به گزارش گروه بین‌الملل باشگاه خبرنگاران جوان به نقل از پایگاه انگلیسی باکس هرالد، یک دانش آموز ۱۱ ساله ایرانی مقیم انگلیس موفق شد رکورد ضریب هوشی اینشتین، فیزیکدان معروف را بشکند.
«باکس هرالد» گزارش داد: یک دانش آموز در دبیرستانی در شهر آیلزبری انگلیس گفته است پس از آنکه موفق شده نمره ۱۶۲ – بالاترین نمره ممکن- را در آزموش تست هوش مِنسا (انجمن بین‌المللی تیزهوشان) بدست بیاورد، شوکه شده است.
طبق گزارش این پایگاه انگلیسی، تارا شریفی (دانش‌آموز ایرانی مقیم انگلیس) توانست نمره ۱۶۲ را در تست هوش منسا کسب کند؛ این بدان معنی است که ضریب هوشی وی از معیارها درباره ضریب هوشی افراد نابغه که ۱۴۰ است، نیز فراتر رفته است.
پایگاه باکس هرالد همچنین نوشت: نمره این دختر دو عدد بالاتر از ضریب هوشی تخمین زده شده برای آلبرت اینشتین، فیزیکدان معروف و استیون هاوکینگ (فیزیکدان برجسته انگلیسی) است.
تارا شریفی، نابغه ایرانی در این خصوص گفت: من زمانی که این نتیجه را بدست آوردم، شوکه شدم. من هرگز انتظار نداشتم به چنین نتیجه خوبی برسم.
طبق اعلام باکس هرالد، تارا شریفی این آزمون را در دانشگاه آکسفورد داده و مجبور بوده در مدت زمانی مشخص به پرسش‌ها پاسخ دهد. همچنین این آزمون، آزمونی غیرکلامی بود که بر توانایی تارا در درک معانی کلمات متمرکز شده بود.
تارا شریفی می‌گوید شرکت در این آزمون، تصمیم مشترک او و خانواده‌اش بوده تا فرصتی شگرف را برای ملاقات افراد دیگر در سامانه منسا به دست آورد.
تارا شریفی همچنین اظهار داشت: من این مسئله را به برخی دوستانم در مدرسه گفته‌ام و آنها بسیار تحت تأثیر قرار گرفتند. من دوست دارم زمانی که بزرگتر شدم، در زمینه ریاضیات فعالیت کنم.
پدر وی نیز در این خصوص گفت: من بسیار احساس غرور می‌کنم؛ اما بسیار نیز شگفت‌زده شدم که چطور تارا این نمره را کسب کرد. من می‌دانستم که او بسیار باهوش است؛ اما فکر نمی‌کردم او دارای چنین ضریب هوشی است.
به نوشته باکس هرالد، تارا هم اکنون واجد شرایط عضویت در منسا است؛ همچنان که وی به عنوان عضو جمعیت تیزهوشان (High IQ society) نیز شناخته می‌شود.
گفته می‌شود پدر تارا شریفی اهل دشتستان در استان بوشهر است.
خوابیدن در زمان تغییر ناگهانی ارتفاع به‌ویژه هنگام فرود هواپیما یا کاهش سریع ارتفاع می‌تواند به درد، مشکلات شنوایی یا حتی آسیب دائمی به گوش‌ها منجر شود.
اگر به هنگام خرید بلیط هواپیما پرواز صبح را انتخاب کرده‌اید و ناچار هستید تا در ساعت ۶ صبح در فرودگاه حاضر شوید، جای تردیدی وجود ندارد که برای ورود به هواپیما و خواب تا رسیدن به مقصد لحظه‌شماری می‌کنید.
ولی به‌خاطر داشته باشید که طبق نتایج آخرین تحقیقات منتشر شده در MedlinePlus خواب در زمان نشست و برخاست هواپیما برای سلامتی مضر است و به‌ویژه می‌تواند آسیب جدی به گوش‌ها وارد کند.
اگر در زمان نشست و برخاست هواپیما بخوابیم، چه اتفاقی می‌افتد؟
وقتی پروازی طولانی پیش رو دارید یا اولین پرواز صبح و شاید آخرین پرواز شب را برای سفر انتخاب کرده‌اید، بسیار وسوسه‌کننده است که به محض نشستن روی صندلی به خواب بروید... ولی بهتر است تا زمان برخاستن هواپیما و خاموش شدن چراغ کمربند ایمنی بر احساس خواب آلودگی غلبه کنید؛ زیرا خوابیدن در زمان شروع و خاتمه پرواز می‌تواند مشکلات جدی را برای سلامتی ایجاد کند که یکی از آنها صدمات دائم به گوش‌ها است.
علت اصلی این مسئله تغییر فوری فشار هوای داخل گوش‌ها در زمان نشست و برخاست هواپیما است. آنجلا چالمرز (Angela Chalmers)، داروساز انگلیسی، در این‌باره می‌گوید:
تغییر سریع ارتفاع، فشار هوای داخل گوش را تحت تأثیر قرار می‌دهد و باعث ایجاد خلا در شیپور استاش گوش می‌شود؛ در نتیجه، گوش‌ها دچار گرفتگی (یا در اصطلاح خفگی) می‌شوند.
بنابراین، توجه به این مسئله در زمان پرواز بسیار ضروری به‌نظر می‌رسد. البته اگر در نشست یا برخاست هواپیما مسافران خوابیده باشند، نمی‌توانند روی تنظیم فشار هوای داخل گوش تمرکز کنند؛ در نتیجه، گوش‌ها دچار گرفتگی می‌شوند و ممکن است با عوارضی مانند سرگیجه، التهاب گوش، آسیب پرده گوش، خون‌ریزی بینی یا حتی کاهش شنوایی مواجه شوند.
برای پیشگیری از گوش گرفتگی در پرواز چه باید کرد؟
متداول‌ترین روش‌ها برای جلوگیری از گرفتگی گوش در پرواز خمیازه و قورت دادن آب دهان (با استفاده از جویدن آدامس، مکیدن آب‌نبات، نوشیدن آب و...) است. همچنین، می‌توانید سوراخ بینی خود را ببندید و سعی کنید تا فشار هوا را از راه بینی خارج کنید. این کار به کاهش فشار کمک می‌کند.
پس از اوج‌گیری هواپیما و در طول پرواز می‌توانید با خیالی آسوده پشتی صندلی را بخوابانید و تا قبل از فرود هواپیما با آرامش استراحت کنید یا با استفاده از هدفون به موزیک‌های مورد علاقه‌تان گوش دهید.
منبع: https://www.zoomg.ir/2019/7/15/306361/flight-sleeping-forbidden-time/
پردازش FinFET 5 نانومتری تکنولوژی جدیدی که شرکت سامسونگ در حال توسعه آن است. در این نوشته مروری خواهیم داشت بر پردازنده های 5 نانومتری FinFET سامسونگ با فناوری سه بعدی که در آینده نزدیک در دسترس مشتریان قرار خواهد گرفت.
شرکت سامسونگ الکترونیکس به عنوان برند پیشتاز در حوزه فناوری نیمههادیها اعلام کرد که تکنولوژی پردازش FinFET 5 نانومتری را تکمیل نموده و در حال حاضر تواناییارائه مدل های نمونه به مشتریان را دارد. با اضافه شدن این مدل پیشرفته به مجموعه محصولات پردازشی مبتنی بر فوق ماورای بنفش (EUV)، سامسونگ بار دیگر برتری خود را در بازارهای پایه پیشرفته به نمایش گذاشت.
بخش فناوریهای پایه سامسونگ (Samsung Foundry) در همکاری با شرکتهای فعال در بخش اکوسیستم پیشرفته پایه سامسونگ (SAFE) توانست زیرساخت منسجمی را برای فناوری پردازنده های 5 نانومتری FinFET سامسونگ طراحی کند که شامل کیت طراحی پروسه (PDK)، متدولوژی طراحی (DM)، ابزارهای اتوماسیون طراحی الکترونیک (EDA) و IP می‌شود. این مجموعه از سه ماهه آخر سال 2018 به تدریج به طرفین عرضه شدهاند. در عین حال بخش فناوریهای پایه سامسونگ ارائه خدمات (Multi Project Wafer) را به مشتریان خود آغاز کرده است.
مزایای پردازنده های 5 نانومتری FinFET سامسونگ
فناوری موجود در پردازنده های 5 نانومتری FinFET سامسونگ در مقایسه با سری 7 نانومتری، کارآمدی مدارهای منطقی را تا 25 درصد افزایش داده و در عین حال میزان مصرف انرژی در آن نیز تا 10 درصد کاهش پیدا می‌کند یا به عبارت دیگر روند پردازش بهینه‌سازی شده و میزان عملکرد پردازنده 10 درصد ارتقا پیدا می‌کند و همین مسئله امکان طراحی استانداردهای نوآورانه تر در معماری سلولی (Cell Architecture)را نیز فراهم می‌کند.
علاوه بر بهینه سازی «عملکرد در حوزه انرژی» (PPA)، مشتریان میتوانند از مزایای متعدد فناوری بسیار پیچیده EUV 5 نانومتری سامسونگ بهرهمند شوند. سری 5 نانومتری نیز مانند سری قبل پردازنده های این شرکت، از لیتوگرافی EUV در الگوسازی سطح فلز استفاده کرده و به این ترتیب با کاهش میزان سطح پوششی، صحت عملکرد را افزایش می‌دهد.
یکی دیگر از مزایای مهم فناوری 5 نانومتری آن است که میتوانیم از همه IPهای 7 نانومتری برای 5 نانومتری هم استفاده کنیم و به این ترتیب روند انتقال مشتریان از فناوری 7 نانومتری به 5 نانومتری با هزینههایی بسیار کمتر و اکوسیستم از پیش طراحی شده همراه بوده و در نهایت روند تولید محصولاتی با فناوری 5 نانومتری بسیار کوتاه‌تر خواهد بود.
فناوری لیتوگرافی EUV
در ماه اکتبر 2018 سامسونگ تولید اولیه پردازشگر 7 نانومتری و اولین نود پردازش با فناوری لیتوگرافی EUV را اعلام کرد. این شرکت نمونههای تجاری آن پردازشگر را برای اولین محصولات مبتنی بر EUV بازار عرضه کرده و تولید انبوه پردازشگر 7 نانومتری را نیز اوایل امسال آغاز کرد.
در عین حال سامسونگ در حال همکاری با مشتریان خود برای تولید یک پردازشگر 6 نانومتری به شکل یک نود پردازش اختصاصی مبتنی بر EUV است و اکنون به نمونههای اولین چیپ 6 نانومتری خود دست پیدا کرده است.
فناوریهای پردازشی مبتنی بر EUV سامسونگ در حال حاضر در شهر هواسئونگ کره جنوبی تولید می‌شوند. این شرکت قصد دارد ظرفیت تولید EUV خود را با تاسیس یک خط جدید در همین شهر افزایش دهد و انتظار میرود این کار تا نیمه دوم 2019 تکمیل شود.
منبع: https://techrato.com/2019/04/28/5nm-samsung-processor-evu-technology/